我国科学家开创第三类存储技术

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在实验室内合影。

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

新华社记者 丁汀 摄

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

新华社记者 丁汀 摄

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将硅片放入仪器。

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

新华社记者 丁汀 摄

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将清洗好的硅片放入容器内。

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

新华社记者 丁汀 摄

4月11日，复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

新华社记者 丁汀 摄

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行切割。

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

新华社记者 丁汀 摄

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

新华社记者 丁汀 摄

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内清洗硅片（拼版照片）。

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

新华社记者 丁汀 摄