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我国第一款自主知识产权相变存储器芯片研制成功
中央政府门户网站 www.gov.cn   2011年04月20日   来源:新华社

    4月20日,研究人员在展示我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片。我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片研制成功,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。据介绍,该款PCRAM试验芯片存储容量为8Mb,在8英寸硅片上的每一块存储芯片,存储单元成品率达99%以上。截至2010年底,该款PCRAM相变存储器已经获得50多项发明专利授权,150多项专利公开,相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。新华社记者 刘颖 摄

    4月20日,在中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究人员在相变存储器芯片进行语音功能演示。新华社记者 刘颖 摄

    4月20日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、PCRAM研究项目负责人宋志棠(左)与研究人员在实验室内工作。新华社记者 刘颖 摄

 
 
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