中国科学院半导体研究所研制成功一种新型半绝缘磷化铟（InP）晶片，它的出现对于改善和提高InP基微电子器件的性能具有重要的意义。这种通过高温退火工艺所制备的半绝缘晶片既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性，同时铁浓度大大降低，电学性质、均匀性和一致性显著提高。磷化铟是继硅和砷化镓之后又一重要的III-V族化合物半导体材料，磷化铟晶片常用于制造高频、高速、大功率微波器件和电路以及卫星和外层空间用的太阳能电池等；在当前迅速发展的光纤通讯领域，它是首选的衬底材料；另外，InP基器件在IC和开关运用方面也具有优势。这种新型半绝缘磷化铟晶片的研制成功，将在国防和高速通信领域发挥重要的作用。中国电子科技集团第十三研究所已使用这种新型半绝缘磷化铟纯磷衬底成功制作了工作频率达100GHz的高电子迁移率晶体管。